首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> can sic

can sic 文章 最新資訊

基于onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅(qū)動器評估板

  • NCP51752是隔離單通道柵極驅(qū)動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5 A/-9A。 它們設計用于快速切換以驅(qū)動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關。 NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關閉，NCP51752具有嵌入式負偏置軌機制在GND2和VEE引腳之間。 本用戶指南支持NCP51752的評估板。 它應該與NCP51752數(shù)據(jù)表以及onsemi的應用說明和技術支持團隊一起使用。 本文檔描述了孤立單體的擬
  • 關鍵字： onsemi  NCP51752  隔離式  SiC  MOSFET  閘極驅(qū)動器  評估板  

650V GaN器件在高功率應用中對SiC構(gòu)成挑戰(zhàn)

  • 瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅(qū)動器 IC 產(chǎn)品線集成后對 GaN 技術的持續(xù)投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺的 RDS（on） 和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開關品質(zhì)因數(shù)提高了 50%，而輸出品質(zhì)因數(shù)提高了 20% 以上。在比較測試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應用中的損耗比領先的碳化硅 MOSFET 和 JF
  • 關鍵字： 650V  GaN  器件  高功率應用  SiC  

香港首座8英寸SiC晶圓廠獲得批準

  • 6月25日，香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技局轄下創(chuàng)新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工業(yè)加速計劃」申請已獲得評審委員會批準。獲批項目涉及在香港興建寬禁帶半導體碳化硅 （SiC） 晶圓制造設施。項目總預算超過 7 億港元，將獲得 2 億港元的「新產(chǎn)業(yè)加速計劃」資助。這筆資金預計將大大提升香港的先進半導體制造能力，并加速其在寬禁帶半導體領域的發(fā)展。Jizcube 于 2023 年 10 月在香港注冊成立，并于 2024 年 6 月正式開始運營，同時
  • 關鍵字： 香港  8英寸  SiC  晶圓廠  

基于SiC的熔絲保護高壓電氣系統(tǒng)

  • 在減少排放和實現(xiàn)凈零目標的前進道路上，碳化硅技術將在可持續(xù)發(fā)展應用中發(fā)揮關鍵作用。這些應用可以通過在系統(tǒng)中添加電力電子器件（例如電機驅(qū)動器）或增強現(xiàn)有系統(tǒng)中的電力電子器件以達到更高的電壓并提高效率。隨著越來越多的應用集成電氣系統(tǒng)，對電路保護的需求至關重要。維修或更換組件的成本可能很高，因此設計人員正在實施更強大的電路保護方法。僅限于保護線路的電路中斷裝置對于敏感的電子負載已不再足夠。電子電路中斷解決方案（例如電子熔絲）可以保護線路并限制傳輸?shù)焦收县撦d的短路允通電流和能量，從而可以防止負載自身損壞。傳統(tǒng)電路
  • 關鍵字： SiC  熔絲保護  

一文讀懂SiC Combo JFET技術

  • 安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態(tài)斷路器和大電流開關系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負載的應用場景。SiC Combo JFET 技術概覽對于需要常關器件的應用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)。在這種設置中，SiC JFET負責處理
  • 關鍵字： 安森美  SiC  Combo  JFET  

SiC Combo JFET技術概覽與特性

  • 安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態(tài)斷路器和大電流開關系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負載的應用場景。SiC Combo JFET技術概覽對于需要常關器件的應用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)。在這種設置中，SiC JFET負責處理高
  • 關鍵字： SiC Combo JFET  安森美  

羅姆的SiC MOSFET應用于豐田全新純電車型“bZ5”

  • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中?！癰Z5”作為豐田與比亞迪豐田電動車科技有限公司（以下簡稱“BTET”）、一汽豐田汽車有限公司（以下簡稱“一汽豐田”）聯(lián)合開發(fā)的跨界純電動汽車，由一汽豐田于2025年6月正式發(fā)售。此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團的合資企業(yè)——上海海姆希科
  • 關鍵字： 羅姆  SiC MOSFET  豐田  純電車型  

從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴展實戰(zhàn)指南

  • 在10kW-50kW中高功率應用領域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯(lián)擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。然而，功率并非是選用并聯(lián)MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯(lián)還可以降低開關能耗，改善導熱性能。考慮到熱效應對導通損耗的影響，并聯(lián)功率開關管是降低損耗、改善散熱性能和提高輸出功率的有效辦法。然而，并非所有器件都適合并聯(lián)， 因為參數(shù)差異會影響均流特性。本文
  • 關鍵字： 意法半導體  SiC  MOSFET  

SiC過剩預警：新能源汽車能否消化瘋狂擴產(chǎn)？

  • 就在去年，「搶占 SiC，誰是電動汽車市場的贏家？」「第三代半導體，來勢洶洶」「碳化硅:滲透新能源車半壁江山 第三代半導體百億級市場拉開帷幕」……這樣的形容是 SiC 的專屬標簽，市場利好，一片光明。好景沒有一直延續(xù)下去。「消息稱 2025 年中國 SiC 芯片價格將下降高達 30%」「SiC 價格跳水, 開啟下半場戰(zhàn)役」……新能源車爆火，那 SiC 怎么了？核心矛盾：需求增長 VS 產(chǎn)能狂飆根據(jù)預測 2025 年全球 SiC 襯底產(chǎn)能預計達 400 萬片，需求預測僅 250 萬片。從需求側(cè)來看
  • 關鍵字： SiC  

復旦大學研發(fā)新型SiC MOSFET器件

  • 在功率半導體領域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高臨界電場強度和優(yōu)異的熱導率，被廣泛應用于新能源汽車、智能電網(wǎng)和軌道交通等高壓高頻場景。然而，如何在確保擊穿電壓（BV）的同時優(yōu)化導通電阻（Ron），一直是行業(yè)亟待解決的難題。近日，復旦大學研究團隊在這一領域取得重要突破。據(jù)復旦大學研究團隊透露，他們基于電荷平衡理論，通過對離子注入工藝的深度優(yōu)化，成功設計并制備出正交結(jié)構(gòu)和平行結(jié)構(gòu)兩種布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。實驗數(shù)據(jù)顯示，這兩種新型器件在維持約2.0kV擊
  • 關鍵字： 復旦大學  SiC  MOSFET器件  

SiC市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

  • 安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優(yōu)勢，本文將重點介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡介碳化硅結(jié)型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的RDS.A，需要權衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導通。然而，開關模式在應用中通常需要常關狀態(tài)。因此，將SiC JFET與低電壓硅M
  • 關鍵字： SiC  共源共柵  cascode  安森美  

ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設計階段的仿真驗證中，模型的精度至關重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進。新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型
  • 關鍵字： ROHM  SPICE模型  ROHM Level 3  SiC MOSFET模型  

SiC Combo JFET講解，這些技術細節(jié)必須掌握

  • 安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態(tài)斷路器和大電流開關系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負載的應用場景。本文為第一部分，將介紹SiC Combo JFET 技術概覽、產(chǎn)品介紹等。SiC Combo JFET 技術概覽對于需要常關器件的應用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開
  • 關鍵字： 安森美  SiC  Combo  JFET  

因中國價格戰(zhàn)和Wolfspeed不確定性 瑞薩電子放棄SiC生產(chǎn)計劃

  • 根據(jù) MoneyDJ 援引日經(jīng)新聞的一份報告，電動汽車 （EV） 市場增長放緩，加上中國制造商增產(chǎn)導致供應過剩，導致價格下跌，據(jù)報道，這促使日本半導體巨頭瑞薩電子放棄了生產(chǎn)電動汽車碳化硅功率半導體的計劃。日經(jīng)新聞指出，瑞薩電子最初計劃于 2025 年初在其位于群馬縣的高崎工廠開始生產(chǎn)用于電動汽車的 SiC 功率芯片。然而，該公司此后解散了高崎工廠的 SiC 團隊。日經(jīng)新聞補充說，預計與中國競爭對手的價格競爭將在中長期內(nèi)加劇，這使得瑞薩電子作為后來者很難從 SiC 芯片生產(chǎn)中快速獲利。根
  • 關鍵字： 價格戰(zhàn)  Wolfspeed  瑞薩電子  SiC  

Wolfspeed破產(chǎn)傳聞使瑞薩電子20億SiC供應交易面臨風險

  • 據(jù)日本媒體《日刊工業(yè)新聞》報道，據(jù)報道，總部位于美國的碳化硅晶圓生產(chǎn)商 Wolfspeed 正在申請第 11 章破產(chǎn)保護。報告指出，這一發(fā)展促使日本公司（包括與 Wolfspeed 簽訂了 10 年供應協(xié)議的瑞薩電子以及 Rohm）重新評估其戰(zhàn)略計劃。正如日刊工業(yè)新聞所說，瑞薩電子可能會受到影響，因為其與 Wolfspeed 于 2023 年簽署了 20 億美元的預付款 10 年碳化硅晶圓供應協(xié)議。報告指出，如果 Wolfspeed 根據(jù)美國破產(chǎn)法第 11 章申請破產(chǎn)保護，瑞薩電子可能
  • 關鍵字： Wolfspeed  破產(chǎn)  瑞薩電子  SiC  
共1517條 1/102 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

can sic介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條can sic!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對can sic的理解，并與今后在此搜索can sic的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473